碳化矽 取代
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Tesla減少碳化矽用量替代方案有解
https://www.digitimes.com.tw
個人的淺見認為，Tesla是使用Si IGBT（insulated-gate bipolar transistor；絕緣柵雙極性電晶體）取代SiC MOS，並使用SiC二極體（Schottky diode），作為 ...
【美股研究報告】特斯拉擾動「第三類半導體」市場神經
https://today.line.me
綜合以上，特斯拉的壓力來自於對SiC 的掌控力與成本效益，若是尋找可能取代SiC 的替代方案，第四類半導體Ga2O3 ( 氧化鎵) 還在前期開發階段，成熟需要10年 ...
特斯拉宣布大量減少碳化矽，英飛凌如何出招
https://technews.tw
至於，特斯拉準備大量減少使用碳化矽一事，何吉哲回應，不知道特斯拉減用碳化矽之後會採用什麼樣的創新技術來取代，而且也不清楚特斯拉會從什麼時候開始 ...
矽的末日到了？究竟是什麼新型材料能夠取代矽？
https://www.techbang.com
矽作為晶片的主要成分，一直以來都是科技行業的主導。不過當下新材料的發展日新月異，諸如碳化矽、氮化鎵和氧化鎵等材料在電力電子領域正發揮著越來越 ...
碳化矽元件躍升主流成本仍舊為發展最大障礙
https://www.edntaiwan.com
Si持續在汽車功率元件市場占有70%的市場份額，不過SiC將在許多應用中取代IGBT，而這個趨勢是從2020年SiC進入為主流的電動車市場開始。然而，Si未來幾年仍 ...
碳化矽戰略材料產能炸開第三代半導體廠拐點到了
https://www.chinatimes.com
... SiC功率元件全面取代Si IGBT，進而成為主驅逆變器標配，隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝八○○V高壓方向邁進，勢必引爆對SiC基板的強勁 ...
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
https://www.eettaiwan.com
碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...
震撼！ 特斯拉減用碳化矽
https://money.udn.com
特斯拉1日宣布，下世代電動車將大砍碳化矽（SiC）用量75%。碳化矽等第三代半導體是近年市場追捧的新世代半導體材料，業界原認為是產業下個明日之星，特斯 ...